車規級全碳化硅功率模塊
產品詳情


BMB200120P1 是基本半導體為新能源汽車主逆變器應用推出的車規級全碳化硅功率模塊。該模塊采用業內主流的單面水冷散熱形式,為高效電機控制器設計提供便利。

單模塊采用半橋拓撲結構,內部集成兩單元 1200V/200A 碳化硅 MOSFET 和碳化硅續流二極管。單模塊 200A 的輸出電流能力可有效減少逆變器中功率器件數量,降低系統設計難度,同時提升系統可靠性。工程師可以根據設計要求選擇是否并聯使用或需要并聯使用的數量,為設計選型提供更多靈活選擇的空間。

BMB200120P1 采用基本半導體最新的碳化硅 MOSFET 設計生產工藝,在柵極電輸入電容、內部寄生電感、熱阻等多項參數上達到業內領先水平。


產品特點


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高輸出電流能力

低柵極輸入電容

低寄生電感

低熱阻



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參數列表

Product

VDS

(V)

ID

(A)

RDS(on)(m?)

Qg

(nC)

Eon

(μJ)

Eoff

(μJ)

Package Name
BMB200120P1120020032---Pcell



技術文章
2020-07-23
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