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7月3日至5日有著“中國電子行業風向標”之稱的慕尼黑上海電子展隆重舉行基本半導體首次亮相“慕展”同時也是我平平無奇戀愛碳化硅小天才——碳小硅首次與大家正式見面快跟本寶寶一起回顧展會精彩瞬間吧新冠疫情并沒有阻擋大家看展的熱情作為2020年的首...

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6月28日,在上海舉行的2020中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮傳來喜訊,基本半導體車規級全碳化硅功率模塊BMB200120P1榮獲2020年度中國IC設計成就獎之功率器件獎項!中國IC設計成就獎是中國電子業界最重要的技術獎項評...

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以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能,切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求...

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“新基建”:駛向科技強國的“數字高速公路”當前,抗擊疫情的硬仗還沒打完,疫后重建的硬仗已經打響,動力就是“新基建”...

07/23
2020

1、器件散熱選擇為了確保碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)的安全運行,器件結溫Tj必須低于Tj(max),在進行熱設計時需留有余量,以保證在額定負載或過載等狀態下結溫Tj在Tj(max)以下。當SiC JBS器件在高于Tj(max)的溫度...

07/23
2020

一、碳化硅肖特基二極管的可靠性1、dv/dt、di/dt破壞通常情況下,當給硅快恢復二極管和碳化硅肖特基二極管施加過大的dv/dt 時,器件都有可能因過壓而損壞,因此在碳化硅肖特基二極管器件設計使用過程中需參考規格書中的參數,避免此類問題的...

07/23
2020

前   言目前,在實現“綠色能源”的新技術革命中,眾多高頻開關電源已經開始實現高功率因數校正技術(特別是在通信電源中),其中采用有源功率因數校正的居多。連續導電模式Boost變換器是電源系統中應用較廣的功率因數校正變換器。在硬開關連續導電模...

07/13
2020

7月3日至5日有著“中國電子行業風向標”之稱的慕尼黑上海電子展隆重舉行基本半導體首次亮相“慕展”同時也是我平平無奇戀愛碳化硅小天才——碳小硅首次與大家正式見面快跟本寶寶一起回顧展會精彩瞬間吧新冠疫情并沒有阻擋大家看展的熱情作為2020年的首...

07/02
2020

6月28日,在上海舉行的2020中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮傳來喜訊,基本半導體車規級全碳化硅功率模塊BMB200120P1榮獲2020年度中國IC設計成就獎之功率器件獎項!中國IC設計成就獎是中國電子業界最重要的技術獎項評...

06/24
2020

以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能,切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求...

04/13
2020

“新基建”:駛向科技強國的“數字高速公路”當前,抗擊疫情的硬仗還沒打完,疫后重建的硬仗已經打響,動力就是“新基建”...

02/03
2020

為積極配合國家關于新型冠狀病毒肺炎疫情的防控工作,確保公司員工及客戶的健康安全,我公司決定將春節后復工時間延遲至2月10日(農歷正月十七 星期一)

12/26
2019

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界

12/13
2019

北國風光,千里冰封,萬里雪飄。在零下40℃的內蒙古呼倫貝爾市海拉爾區,由國家新能源汽車技術

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